以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎，并被写入国家“十四五”规划“科技前沿领域攻关”列表。

近日，保利华信旗下长飞公司投资企业长飞先进半导体的研发生产基地落户“武汉·中国光谷”，为进一步落实国家“十四五”规划，加快建设第三代半导体产业、推动原创性引领性科技攻关贡献出“芯”力量。湖北省委常委、武汉市委书记郭元强，武汉市委副书记、市长程用文与保利华信党委书记、董事、总经理，长飞公司党委书记、董事长马杰一行参与见证了项目签约仪式。

本次签约的第三代半导体功率器件研发生产基地总投资预计超过200亿元，将有效助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。其中总投资约100亿元的项目一期已于近期启动，预计2025年完成建设。项目建成后将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，推动长飞先进半导体成为中国第三代半导体产业领头羊，竞逐国际市场。

作为保利集团旗下信息科技板块的“排头兵”，保利华信始终以国家战略需求为导向，以科技创新为己任，不断拓展新增长动能和发展路径，为加快建设网络强国、数字中国贡献力量。成员企业长飞公司是全球最大的光纤预制棒、光纤和光缆供应商，行业首家“A+H”上市企业。近年来，长飞针对性布局战略性多元化业务，围绕“卡脖子”技术，持续加大投入、攻坚克难。长飞先进半导体是长飞在第三代半导体领域深度布局的重要举措，也是长飞光纤近年来成功实施多元化战略及战略转型的代表体现。长飞先进半导体专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

未来，保利华信将进一步深化央地合作，加大核心技术攻关力度，加快推进长飞先进半导体武汉基地项目建设，为推动产业转型升级和经济高质量发展作出更大贡献。